3.1温度对半导体激光器的影响n踟 (1)量子阱激光器与温度的关系,体现在增益系数及漏电流与温度的关系等 几方面。半导体激光器中,温度对阈值电流的影响十分的明显和直观,阈值电流 密度厶随有源区温度的关系如式3.1所示; 厶=厶(Z)e)【p(丁一I)/瓦 (3.1) 拟合后的关系表达式为: e)(p(丁/93.20) (3.2) ...
LD/LED的P-I-V特性曲线测试半导体激光器的结构 半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体,由于邻近原子的作用,电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带,如下图(a)所示,能量低的能带称为价带,能量高的能带称为导带,导带底的能量Eu和价带顶的能量El之间的能量差称为禁带宽度或带隙,不同的半导体材料有不同...