中华人民共和国国家标准半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T 4586-94 IEC 747-8 — 1984代替GB 4586-84 Semiconductor devices Discrete devices Part 8: Field-e f fect transistors 本标准等同采用IEC747-8 — 1984《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》及其IEC747-8第1次更改(1991)。第I...
IEC60747-8IECહ01年6月版3.1版合并版国际标准colourinside半导体器件离散器件-第8部分:场效应晶体管啊CopyontintemationsElectrotechnicalCommission
前言本规范是等同采用国际标准半导体器件分立器件以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 第一版对本规范与前版的主要差别是增加了本规范的附录进行修订的分组转矩的技术要求分组尺寸和是标准的附录本规范由中华人民共和国电子工业部提出本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口本规范由电子工业部标准化研究所负责起草本规...
GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 GB/T 6256-1986 工业加热三极管空白详细规范(可供认证用) GB 6353-1986 电子器件详细规范 3DG79型正向自动增益控制高频低噪声晶体管(可供认证用) ...
《GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》相较于《GB 4586-1984》,主要在标准编号、内容范围以及技术要求上进行了更新和调整。具体变化包括: 标准性质的变化:从原来的强制性国家标准(GB)变更为推荐性国家标准(GB/T),这意味着该标准更多地作为指导和建议使用,而非强制执行。
GBT4586--半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管.pdf 40页 内容提供方:可疑侵权标准 大小:1.27 MB 字数:约2.06万字 发布时间:2020-09-20发布于四川 浏览人气:97 下载次数:仅上传者可见 收藏次数:0 需要金币:*** 金币 (10金币=人民币1元)...
根据栅源电压的不同,场效应晶体管可以分为三种类型:- N沟道型(N-Channel)FET:当栅源电压为正时,沟道中的电子受到栅源电压的吸引,形成导电通道。- P沟道型(P-Channel)FET:当栅源电压为负时,沟道中的电洞受到栅源电压的吸引,形成导电通道。-绝缘栅型(I-Channel)FET:当栅源电压为零时,晶体管处于阻断状态。
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GB T 6219-1998半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范. 建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址:http://www.yinghuochong.com/disk/346231.htm : 收藏人收藏 电子设计 专栏 1.8w文章8960.2w阅读4370粉丝3907 ...
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管doi:GB/T 4586-1994全国半导体器件标准化技术委员会王长福刘美英顾振球徐锦仙