毕业中国科技大学 —— 物理系半导体专业 —— 硕士学位 —— 研究生(硕士)毕业南京大学 —— 物理系半导体专业 —— 学士学位 —— 大学本科毕业 工作经历 1998.4 - 2000.3 日本东京大学产业技术研究所 (IIS) —— 研究员 2000.4 - 2004.12 南京大学物理系 —— 教授 2004.12 - 至今 北京大学物理学院 —— ...
1963年7月出生于江苏省扬州市; 1985年7月毕业于南京大学物理系半导体专业,获学士学位; 1988年7月毕业于中国科技大学物理系半导体专业,获硕士学位; 1995年3月毕业于日本东北大学材料科学研究所 (IMR),获博士学位; 2000年晋升教授; 2003年获国家杰出青年科学基金; 2004年聘为教育部长江特聘教授 曾任日本东京大学产业...
沈老师，学术、育人方面很是给力，课题组内大牛也不少，科研与产业化都做的很好，研究的内容属于宽禁带...
III族氮化物宽禁带半导体是有望实现室温自旋逻辑器件的材料体系之一,对其中自旋弛豫过程的有效调控则是实现自旋场效应晶体管的关键环节。在国家重点研发计划项目的资助下,北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室唐宁、沈波研究团队与合作者通过时间分辨克尔光谱,研究了InGaN/GaN量子阱中自旋弛豫时间对外加单轴...
针对这一难题,北京大学物理学院王新强、沈波、葛惟昆等与东京大学合作,发展出了一种由空间分离的InGaN单原子层嵌入在GaN薄膜中形成的新型量子发射器。研究团队采用分子束外延制备出单原子层In(Ga)N结构(Phys. Rev. Mater. 2018, 2, 011601),实验观测和计算结果皆证明In原子周期性地以In:Ga～1:2的比例嵌入Ga原...
由沈波教授领导的北京大学宽禁带半导体研究团队与其合作者近期在这一问题上取得了重要进展。该团队与中科院苏州纳米所和中国科技大学等合作单位采用红外光谱和拉曼光谱技术,克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题,实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模,并结合第一性原理计算,给出了C杂质在GaN...
毕业中国科技大学 —— 物理系半导体专业 —— 硕士学位 —— 研究生(硕士)毕业南京大学 —— 物理系半导体专业 —— 学士学位 —— 大学本科毕业 工作经历 1998.4 - 2000.3 日本东京大学产业技术研究所 (IIS) —— 研究员 2000.4 - 2004.12 南京大学物理系 —— 教授 2004.12 - 至今 北京大学物理学院 —— ...