刻蚀设备是重要性仅次于光刻机的半导体设备。刻蚀设备采购开支占设 半导体沪深300 备采购开支总额的比例超过20%。此外,随着多重掩膜和3D叠堆等集成电路 7% 技术加速渗透,刻蚀设备在半导体制造中的使用量和重要性不断上升。 -3% -13% 刻蚀设备具有较高的技术壁垒。刻蚀机的运行需要多种子系统,零件,和 ...
氮化硅膜的刻蚀可以使用 CF4 或 CF4 混合气体(加 O2,SF6 和 NF3)进行等离子体刻蚀。针对 Si3N4 膜,使用 CF4—O2 等离子体或其他含有 F 原子的气体等离子体进行刻蚀时,对氮化硅的刻蚀速率可达到 1200Å/min,刻蚀选择比可高达 20:1,主要产物为具有挥发性,方便被抽走的四氟化硅(SiF4)。 1.4. 刻蚀工艺指标...
刻蚀设备是重要性仅次于光刻机的半导体设备。刻蚀设备采购开支占设备采购开支总额的比例超过20%。此外,随着多重掩膜和3D叠堆等集成电路技术加速渗透,刻蚀设备在半导体制造中的使用量和重要性不断上升。刻蚀设备具有较高的技术壁垒。刻蚀机的运行需要多种子系统,零件,和技术的互相配合。此外,刻蚀设备有多种复杂技术路线,...
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9、上游供应链9图2半导体分类10图3芯片制造的主要步骤11图4具有多层结构的集成电路3D效果11图国产刻蚀机未来可期5具有多层结构的集成电路3D结构图12图表目录5行业深度分析报告/证券研究报告图6多重模板工艺中刻蚀步骤增加12图7刻蚀设备在半导体设备中的市场占比提升13图83DNAND的结构比2DNAND更加复杂13图9湿法刻蚀和...
单晶硅刻蚀通常采用电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀机。 1.3.3. 多晶硅刻蚀 多晶硅刻蚀是最重要的刻蚀工艺之一,因为它决定了晶体管的栅极,而对栅极尺寸的控制很大程度上决定了集成电路的性能。多晶硅的刻蚀要有很好的选择比。通常选用卤素气体,氯气可实现各向异性刻蚀并且有很好的选择比(可达到 10:1);溴基气体可得到 100...