个人简介刘晓迟,女,中南大学物理与电子学院特聘副教授。2012年于大连理工大学获得材料物理专业学士学位,获大连市优秀毕业生称号。2018年博士毕业于韩国成均馆大学先进纳米技术研究中心,获理学博士学位。长期以来专注于低维材料纳米器件载流子输运研究。研究方向包括改善低维材料器件的接触电阻、半导体器件改性以及多种半导体功...
近日,国际权威学术刊物《先进材料》(Advanced Materials)在线发表了物理与电子学院刘晓迟-孙健教授团队关于光编程多态数据存储的最新研究成果。论文题目为“面向高密度数据存储的光编程可重写晶格介导多态存储器”。中南大学为第一完成单位,物理与...
近期,中南大学孙健教授、刘晓迟副教授课题组通过厚度工程和表面电荷转移掺杂实现了对垂直MoTe2/MoS2异质结中载流子类型和能带对齐的调控。通过使用不同厚度的 MoTe2薄片获得了高度整流的p-n结二极管和非整流的n-n结二极管。并通过可控的...
本网讯 近日,国际权威学术刊物《先进材料》(Advanced Materials)在线发表了物理与电子学院刘晓迟-孙健教授团队关于光编程多态数据存储的最新研究成果。论文题目为“面向高密度数据存储的光编程可重写晶格介导多态存储器”。中南大学为第一完成单位,物理与电子学院2021级硕士研究生孙琪为论文第一作者,刘晓迟副教授、孙健教授为...
本网讯 近日,我校物理与电子学院“超微结构与超快过程湖南省重点实验室”孙健教授、刘晓迟副教授研究团队在国际顶尖学术刊物《ACS Nano》(JCR1区,自然指数期刊,影响因子 13.7)发表了关于石墨烯纳米带单量子点器件的实验研究成果。论文题为“Quantum Dot Formation in Controllably Doped Graphene Nanoribbon”,是该团队与...