光生伏打效应、光弹效应、声光效应 等多种光电性能；（2）铌酸锂晶体的性能可调控性强，这是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰富的缺陷结构所造成 ，铌酸锂晶体的诸多性能可以通过晶体组分、元素掺杂、价态控制等进行大幅度调控；（3）铌酸锂晶体的物理 化学性能相当稳定，易于加工；（4）光透过范围宽，具有较大的双折射，...
第二阶段（1964 - 1967年）：国外对铌酸锂的特性做了广泛研究。因为在材料生长工艺上有了突破，得到了最好的晶格模型，所以在1964 - 1967年期间，美国Bell实验室针对铌酸锂的电光、倍频、压电、光折变等特性进行了一系列研究。第三阶段（1970年到现在）：我国在20世纪70年代就开始研究铌酸锂晶体的生长、缺陷、性能以...
光生伏打效应、光弹效应、声光效应 等多种光电性能;(2)铌酸锂晶体的性能可调控性强,这是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰富的缺陷结构所造成 ,铌酸锂晶体的诸多性能可以通过晶体组分、元素掺杂、价态控制等进行大幅度调控;(3)铌酸锂晶体的物理 化学性能相当稳定,易于加工;(4)光透过范围宽,具有较大的双折射,而且容易制...
光生伏打效应、光弹效应、声光效应 等多种光电性能;(2)铌酸锂晶体的性能可调控性强,这是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰富的缺陷结构所造成 ,铌酸锂晶体的诸多性能可以通过晶体组分、元素掺杂、价态控制等进行大幅度调控;(3)铌酸锂晶体的物理 化学性能相当稳定,易于加工;(4)光透过范围宽,具有较大的双折射,而且容易制...
而薄膜铌酸锂是通过“离子切片” 的方式,从块状的铌酸锂晶体上剥离出铌酸锂薄膜,并键合到附有SiO2缓冲层的Si晶片上,形成的薄膜铌酸锂材 料。相比于传统的体材料结构,薄膜铌酸锂平台可以实现更高的集成度、更好的性能。 应用领域:光学应用 铌酸锂晶体具有优异的电光效应和非线性光学效应,广泛应用于电光调制器等领域。
铌酸锂薄膜技术及其潜在的集成光子学系统,已经逐渐成为当前光子学研究前沿的“变革性”技术。在基于体材 料铌酸锂晶体的光学器件中,光被限制在由离子扩散或质子交换形成的平面波导内,折射率差通常比较小( ~0.02),器件尺寸比较大,难以满足光学器件趋于小型化、集成化的需求。而薄膜铌酸锂是通过“离子切片” 的方式,从块...
光电材料之铌酸锂行业研究薄膜铌酸锂技术突破.docx,光电材料之铌酸锂行业研究薄膜铌酸锂技术突破 (报告出品方/作者:海通证券,余伟民、徐卓) 1. 铌酸锂晶体:性能出众,主要应用于光电等领域 铌酸锂晶体具有光电效应多、性能可以调控性强等特点 铌酸锂(LiNbO3)就是铌、
光电材料中的铌酸锂行业正在经历薄膜技术的突破，这不仅推动了其在光电领域的广泛应用，而且对产业的未来发展产生了深远影响。薄膜铌酸锂技术不仅提高了器件的集成度和性能，还拓展了其在光通信、压电、声学波滤波等领域的潜力，成为当前光子学研究的重要发展方向。全球市场对铌酸锂的需求持续增长，尤其是薄膜...