1.根据波长范围分类：硅基探测器：波段范围200~1100nm，一般包括线阵或面阵CCD、CMOS等 InGaAs探测器：波段范围900~2500nm，一般包括线阵或面阵InGaAs探测器等 2.互补金属氧化物半导体CMOS CMOS图像传感器利用互补金属氧化物半导体技术。每个像素点都集成了光电二极管和放大电路，通过光电效应将光信号转换为电信号。CMOS...
光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。 1、 光电二极管(PIN):应用于一般通用场合。针对特殊应用,可以增加探测器信号放大和探测器前置滤光片。 2、 雪崩光电管(APD):主要用于微弱信号场合,同时具备快速响应能力,可以提供各种尺寸和封装类型。 3、 四象限探测器(Quadrant...
光电探测器的分类 按探测原理分类 1.光电管:通过光电效应将光信号转换为电信号,主要应用于光电倍增管和光电发射管中。 2.光敏电阻:光敏电阻是一种基于光电效应原理,将光能转换成电能的敏感元件,可以用作光电控制器中的光检测器。 3.光敏二极管:光敏二极管是一种利用半导体材料反向偏置增加电场强度,从而增加光电转换效...
光电探测器的主要类型包括:位置敏感探测器(PSD)、电荷耦合器件(CCD)以及四象限探测器(QD)等。 首先,位置敏感探测器(PSD)是基于横向光电效应制造的。它对入射光斑的能量分布非常敏感。当光斑照射到其光敏面上时,会产生光电流,光电流的大小与入射光斑处和电极接触点之间的电阻值成反比。为了获得入射光斑在光敏面上的...
光电探测器按原理分类可分为两大类:1.利用各种光子效应即入射光子和材料中的电子发生各种直接相互作用的光子探测器。2.利用温度变化效应的热探测器。 按是否发射电子,光电效应分为内光电效应和外光电效应,而内光电效应又包括光电导效应,光生伏特效应,光子牵引效应和光磁电效应。 热电效应包括电阻温度效应,温差电效应...
光电探测器可分为: 1、光导型: 又称光敏电阻。入射光子激发均匀半导体中的价带电子越过禁带进入导带并在价带留下空穴,引起电导增加,为本征光电导。从禁带中的杂质能级也可激发光生载流子进入导带或价带,为杂质光电导。截止波长由杂质电离能决定。量子效率低于本征光导,而且要求更低的工作温度。 2、光伏型: 主要是p...
一、光电探测器的分类 光电探测器按照检测的辐射波长范围可分为紫外、可见和红外探测器;按照探测器的工作原理可分为光电导、光电转换和半导体探测器。 1. 紫外探测器:检测波长范围主要在200 nm～400 nm范围内,具有高增益、快速响应和较高的量子效率,广泛应用于太阳能电池、疏影测量、化学分析等...
(1)电子发射探测器,探测机理为光电于发射效应即外光电效应。 (2)光电导探测器,探测机理为光电导光效应。 (3)光伏探测器探测机理为光伏效应。 (4)光电磁探测器,探测机理为光电磁效应。 [2].热探测器,探测机理为温度变化效应。 (5)测辐射温差热电偶和热电堆,探测机理为温差电效应。 (6)电阻测辐射热器,探测...
光电倍增管是一种具有放大功能的探测器,其灵敏度和增益比较高。常用于夜视仪、粒子探测、光子计数等领域。 4.光电探测器阵列 光电探测器阵列是由大量的光电探测器按照一定规律排列组成的二维或三维高密度探测器。其主要应用于高速摄像、全景照相、VR/AR等领域。 二、按照应用场景分类 1.光电传感器 光电传感...