光电子技术安毓英习题答案(全)第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解:因为 ΩΦd d e e I = , 且 ()⎪⎪⎭⎫ ⎝ ⎛+- =-===Ω⎰22000212cos 12sin c R R l l d d ...
18 p. 光电子技术安毓英习题答案(全) 21 p. 光电子技术安毓英习题答案02602 24 p. 光电子技术安毓英习题答案(全) 21 p. 光电子技术安毓英习题答案 9 p. 光电子技术(安毓英)习题答案 12 p. 光电子技术(安毓英)习题答案 9 p. 光电子技术(安毓英)习题答案 14 p. 光电子技术安毓英版答案 16 p...
光电子技术安毓英习题答案(全) 下载积分: 900 内容提示: 11 如果激光器和微波器分别在λ=10μm λ=500nm和ν=3000MHz输出一瓦的连续功率 问每秒钟从激光上能级向下能级跃迁的粒子数分别是多少 hCN 由能量守恒可得 83310 解答 N h vP P 1nhW 1nh 当 =10um 时 13161101010c 1913413111 5.03106.62610310nh...
华农-光电子技术安毓英习题答案(全)PDF
光电子技术安毓英习题答案.pdf,光电子技术安毓英习题答案 (全) 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑 体的辐射出射度M。试有普朗克的辐射公式导出M与温度 T的四次方成正比,即 M=常数 T4 这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为 -8 2 4 5.67 10 W/mK 解
光电子技术安毓英习题答案(完整版) 热度: 相关推荐 第一章 2、如图所示,设小面源得面积为DAs,辐射亮度为Le,面源法线与l0 得夹角为 s;被照面得面积为DAc,到面源 As得距离为l0。若 c为辐射在被 照面DAc得入射角,试计算小面源在 Ac上产生得辐射照度。 解:亮度定义: 强度定义: 可得辐射通量: 在给定方向...
安毓英《光电子技术》课后习题答案.3127阅读 文档大小:1.32M 9页 tyyangxiaohua上传于2011-08-11 格式:PDF 光电子技术安毓英习题答案(全) 热度: 光电子技术(安毓英)习题答案.pdf 热度: 光电子技术安毓英习题答案 热度: 相关推荐 安毓英《光电子技术》课后习题答案.,安毓英《光电子技术》课后习题答案,光电子/...
资源描述: 精选优质文档---倾情为你奉上 课后题答案 1.1设半径为Rc的圆盘中心发现上,距圆盘中心为l0处有一辐射强度为Ie的点源S,如下图所示。试计算该点光源发射到圆盘的辐射功率。 思路分析要求由公式,都和有关,根据条件,都可求出。解题过程如下 法一 故又 代入上式可得 法二 1.2如下图所示,设小面源...
die L 解:亮度定义: 强度定义:I e 第题图 则在小面源在Ac上辐射照度为: Ee d e Le As cos s cos c dA .2 l0 第一章 2.如图所示,设小面源的面积为 As,辐射亮度为Le,面源法线与10的 夹角为
精选优质文档倾情为你奉上第一章1,设在半径为Rc的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S,如图所示,试计算该点源发射到盘圆的辐射功率,解,因为,且所以2,如图所示,设小面源的面积为DAs,辐射亮度为Le,面源