目前,头部晶圆制造厂将Bump Pitch推进至10μm以下,国内大封装厂挺近40μm。本文为您概述了当前微凸块的全球新进展。 Bumping/μBumping,(微)凸块制造技术是倒装等发展演化的基础工程,并延伸演化出TSV、WLP、2.5D/3D、MEMS等封装结构与工艺,广泛应用于5G、人工智能、云计算、可穿戴电子、物联网、大数据处理及储存...
行业内凸点间距正在朝着20μm推进,而实际上巨头已经实现了小于10μm的凸点间距。如果凸点间距超过 20μm,在内部互联的技术上采用基于 TCB 的微凸块连接技术。面向未来,HCB 铜对铜连接技术可以实现更小的凸点间距(10μm以下)和更高的凸点密度(10000/m㎡),并带动带宽和功耗双提升。 倒装芯片凸点间距 图源:A. M...
在凸块制造、倒装封装技术方面拥有丰富经验。通过Bumping、电镀焊料、共晶锡/银、无铅、铜柱等技术，实现凸点间距10μm以下、中心距40μm以下的封装，应用于逻辑、存储、处理器、电源管理、射频前端芯片等领域。