我们在讨论半导体的时候,一般所提到的价带,通常专指能量最高的那个全满能带,而导带则专指能量最低的空带,而禁带或者带隙,则专指半导体中价带与导带之间的那个禁带。由于半导体的带隙比较窄,所以价带中的电子可能被热、光等方式激发到导带,使得两个能带都变成不全充满的能带,于是体系可以有一定的导电性,这...
我们任意剖开某一个晶格,进入到晶体的微观世界中,可以将共价键控制的区域成为价带,将共价键控制不到的区域成为导带,顾名思义在导带里面的电子成为了电流的载流子。价带和导带之间称为禁带,在量子世界里,电子能够吸收能量从价带跃迁到导带,也能释放能量从导带跌入到价带,禁带被认为是电子的真空区域。如下图 费米能级 ...
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 B导带的涵义: 导带是半导...
大致可以分为价带、禁带和导带三部分(如图一所示),导带和价带之间的空隙称为能隙,用Eg表示。计算材料的能带结构即色散曲线E(k),可以使用Materials Studio或VASP软件进行。以下将介绍用Materials Studio进行能带结构计算的基本步骤,以ZnS半导体为例: (1)打开Materials Studio界面,点击File→ Import→ Structures→semicondu...
这个问题我来,我是微电子专业的。首先,导带和价带都是能带。那么能带底就包括导带底和价带底,能带顶同理。导带和价带如图:Ec就是导带底所处的能级,Ev就是价带顶所处的能级。禁带宽度就是中间的Eg,是不允许电子存在的部分(禁是禁止之意)。
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带导带。B导带的涵义:导带是半导体最...
价带电子需要经过激发(热、电、光)跃迁到导带,才可以导电。导带与价带之间被称为禁带。
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的 能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valenee band)是满带(见 能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带 (forbidden ban d/ba nd gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成 为导电的能带一一导带。 B 导带是半...
对于金属,所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电...
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带 valence band 是满带 见能带理论 ,受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带 forbidden band/band gap 进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 势能动能:导带底是导带的...