禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。 例如:锗的禁带宽度为0。66ev;...
1.禁带宽度:价带顶与导带底之间的能量差就是所谓半导体的禁带宽度。禁带宽度是半导体的最重要的一个特征参量,能够产生本征激发所需要的最小平均能量。对于掺杂半导体,电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主,施主的能级处在靠近导带底的禁带中;能够提供空穴的杂质称为受主,受主的能级处在靠近...
而在半导体中对半导体导电性质有贡献的包括导带底电子和价带的空穴。所以研究半导体的能带结构,主要研究三个方面: 导带底电子的E−k关系(导带结构); 2.价带顶空穴的E−k关系(价带结构); 3.禁带宽度。 1. Si和Ge的导带结构 要研究Si的导带结构,要对n型Si(掺有施主杂质,例如V族杂质,以电子导电为主)样品做...
1)禁带宽度 对于导带: (dE)/(dk)=(8h^2k)/(3m_0)-(2h^2k_1)/(m_0)=0:k=3/4k_1 E_(ain)=(h^2R^2)/(3m_0)+(h^2(k-k_1^2)/(m_0)=(1h^2k_2)/4_(0.1 对于价带: (dE)/(dk)=-(6l^2k)/(m_0)=0:k=0 E_1=(3h^2k^2)/(ma_0)+(h^2k_1^2)/(6m_0)=(h^...
本征激发:价带电子获得能量跃迁进入导带成为导电电子的过程。对于硅、锗等半导体来说,本征激发就是共价键上的电子挣脱共价键的束缚成为“自由”电子的过程。本征激发的特征是导带的电子和价带空穴是成对地出现的。 利用上面的定义,可以知道禁带宽度Eg=Ec−Ev, 禁带宽度也就是共价键上的电子挣脱成自由电子所需要的最...
该直线与x轴交点处的值，即为该样品的禁带宽度。顺尔推出价带和倒带 拓展资料：1、标准加入法，是将...
禁带,英文名为:ForbiddenBand在能带结构中能态密度[1]为零的能 量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大 小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小, 当温度升高时,电子可以被激发传到导带,从而使材料具有导电性。绝缘体的禁 ...
禁带、价带和导带禁带、导带、价带禁带、价带和导带禁带、禁带宽度及其物理意义1.1基本信息禁带是指在能带结构中能态密度为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小,当温度升高时,亮夹琢航陪隙渴又葫剑烈掏...
禁带:导带底与价带顶之间能带 (forbidden band) 带隙:导带底与价带顶之间的能量差 (band gap) 禁带宽度 有效质量是将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来,并且包含了晶体中的内力作用效果,有效质量并不代表真正的质量,而是代表能带中电子受外力时,外力与加速度的一个比例系数。