【答案】：本征半导体的满带全部被电子填满。导带中的电子数目很少，并且本征半导体的禁带宽度ΔEg较大，所以本征半导体的导电性较差。若在本征半导体中掺人杂质元素，当杂质原子的能级处在半导体导带底部附近形成施主能级时，杂质原子中的电子容易跃入导带形成载流子，这种掺杂形成的半导体称为N型半导体。当掺...
本征半导体的载流子兼有电子和空穴,n型半导体的载流子是电子,p型半导体的载流子是空穴。本征半导体既有导带中的电子定向运动,又有满带中的电子定向运动;n型半导体中杂质电子极易向导带跃迁,供给自由电子,而p型半导体中满带中电子极易跃入杂质能级,使满带中产生空穴。
解析 1.答:本征半导体导带中的载流子为电子,满带中的载流子为“空穴”;N型半导体的载流子为电子,P型半导体的载流子为“空穴”。它们的能带结构有如下区别:本征半导体导带与满带间有较大的禁带,N型半导体的杂质能级接近于导带下沿,P型半导体杂质能级接近于满带上沿。
PN结有什么特性?答案:(1)N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,不能移动的杂质离子带 正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质...
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好 (B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电 (C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部...
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