然而,由超薄二维材料制成的半导体晶体管,每个只有三个原子的厚度,可以堆叠起来制造更强大的芯片。为此,麻省理工学院的研究人员现在展示了一种新技术,可以直接在完全制造的硅芯片上有效且高效地“生长”二维过渡金属二硫化物 (TMD) 材料层,以实现更密集的集成。将二维材料直接生长到硅 CMOS 晶圆上是一项重大挑战,因为...