游经碧,男,博士,研究员,博士生导师。 1982年2月出生于湖北。2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系;2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位;2010年至2015年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作;2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室。 重要科研成果: 长期从事有机及有...
近期,中国科学院半导体研究所研究员游经碧带领的团队,在p-i-n反型结构钙钛矿太阳能电池的p型空穴传输层设计和可控生长等方面取得了重要进展。该团队创新性地在透明导电衬底FTO和SAM层之间引入溶液法制备的p型氧化镍(NiOx)纳米颗粒,显著增强了SAM的自组装能力。同时,研究通过同质化NiOx纳米颗粒,实现了在均匀致密NiOx薄...
最近,研究者开发了一种配体调节方法来管理过量的PbI2并成功提高了PCE(高达22%)和稳定性。 【成果掠影】 今日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员团队(通讯作者)通过RbCl掺杂将PbI2转化为非活性(PbI2)2RbCl化合物(PIRC),从而有效地稳定了钙钛矿相。基于这一策略,作者获得了FAPbI3(FA,甲酰胺)钙钛矿太阳能电池25.6%...
调控钙钛矿薄膜中过量的不稳定PbI2以实现高效率至关重要。最近,研究者开发了一种配体调节方法来管理过量的PbI2并成功提高了PCE(高达22%)和稳定性。 【成果掠影】 今日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员团队(通讯作者)通过RbCl掺杂将PbI2转化为非活性(PbI2)2RbCl化合物(PIRC),从而有效地稳定了钙钛矿相。基于这一策...
中科院半导体研究所游经碧等人在Science上发文,通过RbCl掺杂,将PbI2转化为非活性的(PbI2)2RbCl化合物,有效地稳定了钙钛矿相。基于该策略,获得了FAPbI3钙钛矿太阳电池25.6%... 中科院半导体研究所游经碧等人在Science上发文,通过RbCl掺杂,将PbI2转化为非活性的(PbI2)2RbCl化合物,有效地稳定了钙钛矿相。基于该策略,获得了...
IT之家8 月 3 日消息,中科院官网 8 月 1 日发表报告称,半导体研究所研究员游经碧带领的团队成功研制出效率高达 25.6% 的钙钛矿太阳电池,为目前公开发表的单结钙钛矿太阳能电池世界最高效率。 据半导体研究所介绍,钙钛矿太阳能电池具有成本低、光电转换效率高等优点。经过十多年的快速发展,钙钛矿单结电池效率已超过 25...
中科院半导体研究所游经碧等人在Science上发文,通过RbCl掺杂,将PbI2转化为非活性的(PbI2)2RbCl化合物,有效地稳定了钙钛矿相。基于该策略,获得了FAPbI3钙钛矿太阳能电池25.6%认证功率转换效率PCE。 在储存1000小时后,该器件依然保留了96%原始功率转换效率PCE值,在85°C下,进行500小时热稳定性测试后,设备保留了80%原始...